خوش آمدید

جستجو

تبلیغات





بررسی و مرور ساختار کلی فناوری آتوماتای سلولی

    چکیده

    کوچک کردن اندازه ی ترانزیستورها در ابعاد نانو، صنعت ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی را با مشكلها و چالشهای جدیدی روبرو کرده است. از این رو سلولهای کوانتومی و ترانزیستورهای نانولوله ی کربن، به عنوان برخی از تكنولوژهای جایگزین جهت رفع این مشكل ها، در نظر گرفته شده اند

    بررسی های انجام شده حاکی از آن است که هر یک از این دو فناوری، در معیارهای مختلف، دارای رفتارها و برتریهای منحصر بفرد هستند و بطور قطع نمی توان یكی را برتر از دیگری دانست. به عنوان مثال، با هدف کاهش فراوان توان مصرفی، کاهش تأخیر، کاهش فضای اشغالی و افزایش چشمگیر فرکانس کاری، سلولهای کوانتومی دارای برتری هستند. همچنین بلوغ پایین تر سلولهای کوانتومی از یک طرف، و کاهش مناسب توان مصرفی ترانزیستورهای نانولوله ی کربن، حساسیت پایین آنها در مقابل دما، قابلیت اطمینان بیشتر نسبت به سلول های کوانتومی و امكان تولید ترانزیستورهای نانولوله ی کربن با استفاده از روشهای فعلی تولید ترانزیستورهای اثر میدانی، از طرف دیگر، برای آینده ی نزدیک، فناوری ترانزیستورهای نانولوله ی کربن را به برتری در مقابل سلول های کوانتومی می رساند.

     

    واژگان کلیدی: آتوماتای سلولی کوانتومی، گیت اکثریت، گیت معکوس کننده.تقاطع همسطح

    Keyword: QCA, Majority gate, inverter gate, majority voter


    این مطلب تا کنون 24 بار بازدید شده است.
    منبع
    برچسب ها : ترانزیستورهای ,کوانتومی ,کاهش ,نانولوله ,سلولهای ,توان ,ترانزیستورهای نانولوله ,سلولهای کوانتومی ,تولید ترانزیستورهای ,
    بررسی و مرور ساختار کلی فناوری آتوماتای سلولی

تبلیغات


    محل نمایش تبلیغات شما

پربازدیدترین مطالب

آمار

تبلیغات

محل نمایش تبلیغات شما

تبلیغات

محل نمایش تبلیغات شما

آخرین کلمات جستجو شده