تمامی مطالب مطابق قوانین جمهوری اسلامی ایران میباشد.درصورت مغایرت از گزارش پست استفاده کنید.

جستجو

تبلیغات


بررسی و مرور ساختار کلی فناوری آتوماتای سلولی

    چکیده

    کوچک کردن اندازه ی ترانزیستورها در ابعاد نانو، صنعت ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی را با مشكلها و چالشهای جدیدی روبرو کرده است. از این رو سلولهای کوانتومی و ترانزیستورهای نانولوله ی کربن، به عنوان برخی از تكنولوژهای جایگزین جهت رفع این مشكل ها، در نظر گرفته شده اند

    بررسی های انجام شده حاکی از آن است که هر یک از این دو فناوری، در معیارهای مختلف، دارای رفتارها و برتریهای منحصر بفرد هستند و بطور قطع نمی توان یكی را برتر از دیگری دانست. به عنوان مثال، با هدف کاهش فراوان توان مصرفی، کاهش تأخیر، کاهش فضای اشغالی و افزایش چشمگیر فرکانس کاری، سلولهای کوانتومی دارای برتری هستند. همچنین بلوغ پایین تر سلولهای کوانتومی از یک طرف، و کاهش مناسب توان مصرفی ترانزیستورهای نانولوله ی کربن، حساسیت پایین آنها در مقابل دما، قابلیت اطمینان بیشتر نسبت به سلول های کوانتومی و امكان تولید ترانزیستورهای نانولوله ی کربن با استفاده از روشهای فعلی تولید ترانزیستورهای اثر میدانی، از طرف دیگر، برای آینده ی نزدیک، فناوری ترانزیستورهای نانولوله ی کربن را به برتری در مقابل سلول های کوانتومی می رساند.

     

    واژگان کلیدی: آتوماتای سلولی کوانتومی، گیت اکثریت، گیت معکوس کننده.تقاطع همسطح

    Keyword: QCA, Majority gate, inverter gate, majority voter


    این مطلب تا کنون 55 بار بازدید شده است.
    ارسال شده در تاریخ پنجشنبه 11 دي 1348 [ گزارش پست ]
    منبع
    برچسب ها : ترانزیستورهای ,کوانتومی ,کاهش ,نانولوله ,سلولهای ,توان ,ترانزیستورهای نانولوله ,سلولهای کوانتومی ,آتوماتای سلولی ,تولید ترانزیستورهای ,
    بررسی و مرور ساختار کلی فناوری آتوماتای سلولی

تبلیغات


    Ads1

پربازدیدترین مطالب

آمار امروز سه شنبه 3 مرداد 1396

تبلیغات

جهت سفارش تبلیغات با ایمیل زیر در ارتباط باشید
mohsen_msl@yahoo.com

تبلیغات

ads3

آخرین کلمات جستجو شده

تگ های برتر